An Al.sub.x Ga.sub.y In.sub.z N(x+y+z=1,x,y,z.gtoreq.0) film is epitaxially grown, for example to a thickness of about 1.0 .mu.m, on a surface of a base material. A surface of the Al.sub.x Ga.sub.y In.sub.z N film opposing the base material is polished and thus, flattened to have a surface roughness Ra of less than 10 .ANG. and a thickness of about 1.0 .mu.m. A high crystallinity nitride film is interposed between the base material and the Al.sub.x Ga.sub.y In.sub.z N film.

Film een van Al.sub.x Ga.sub.y In.sub.z N (x+y+z=1, x, y, wordt z.gtoreq.0) epitaxially gekweekt, bijvoorbeeld aan een dikte van ongeveer mu.m 1,0, op een oppervlakte van een basismateriaal. Een oppervlakte van de film die van Al.sub.x Ga.sub.y In.sub.z N verzet zich het basismateriaal is opgepoetst en zo, afgevlakt om een Ra van de oppervlakteruwheid van minder te hebben dan 10. ANG en een dikte van ongeveer mu.m. 1,0 Een hoge film van het kristalliniteitnitride wordt ingevoegd tussen het basismateriaal en de film van Al.sub.x Ga.sub.y In.sub.z N.