In a solid state image sensor comprising a plurality of photoelectric
conversion regions and a plurality of transfer regions which are formed in
a principal surface of a semiconductor substrate, and a plurality of
transfer electrodes formed above the transfer regions, a first insulating
film, an antireflection film and a second insulating film are formed in
the named order on the photoelectric conversion regions. The
antireflection film has a refractive index larger than that of the second
insulating film but smaller than that of the semiconductor substrate. The
stacked film composed of the first insulating film, the antireflection
film and the second insulating film, is formed, in the transfer regions,
to extend over the transfer electrode which is formed a third insulating
film formed on the semiconductor substrate. Preferably, an opening is
formed to penetrate through the antireflection film, at a position above
the transfer electrode, and after the second insulating film is formed, a
sintering is carried out in a hydrogen atmosphere.
В датчике полупроводникового изображения состоять из множественности светоэлектрических зон преобразования и множественности зон перехода сформированы в главным образом поверхности субстрата полупроводника, и множественности электродов перехода сформировал над зонами перехода, первой изолируя пленкой, пленкой antireflection и вторая изолируя пленка сформирована в названном заказе на светоэлектрических зонах преобразования. Пленка antireflection имеет рефрактивный индекс более большой чем та из второй изолируя пленки но более малый чем то из субстрата полупроводника. Штабелированная пленка составленная первой изолируя пленки, пленки antireflection и второй изолируя пленки, сформирована, в зонах перехода, для того чтобы удлинить над электродом перехода который сформирован третьей изолируя пленке сформированной на субстрате полупроводника. Предпочтительн, отверстие сформировано для того чтобы прорезать через пленку antireflection, на положении над электродом перехода, и после того как вторая изолируя пленка сформирована, спекать снесено вне в атмосферу водопода.
