An embodiment of the instant invention is a ferroelectric capacitor formed
over a semiconductor substrate, the ferroelectric capacitor comprising: a
bottom electrode formed over the semiconductor substrate, the bottom
electrode comprised of a bottom electrode material (304 of FIG. 4a); a top
electrode formed over the bottom electrode and comprised of a first
electrode material (306and 308 of FIG. 4a); a ferroelectric material (306
of FIG. 4a) situated between the top electrode and the bottom electrode;
and a hardmask formed on the top electrode and comprising a bottom
hardmask layer (402 of FIG. 4a) and a top hardmask layer (408 of FIG. 4a)
formed on the bottom hardmask layer, the top hardmask layer able to with
stand etchants used to etch the bottom electrode, the top electrode, and
the ferroelectric material to leave the bottom hardmask layer
substantially unremoved during the etch and the bottom hardmask layer
being comprised of a conductive material which substantially acts as a
hydrogen diffusion barrier.
Een belichaming van de onmiddellijke uitvinding is een ferroelectric condensator die over een halfgeleidersubstraat wordt gevormd, de ferroelectric condensator bestaand uit: een onderste elektrode die over het halfgeleidersubstraat wordt gevormd, de onderste elektrode die van een onderste elektrodenmateriaal wordt samengesteld (304 van fig. 4a); een hoogste elektrode die over de onderste elektrode wordt gevormd en die van een eerste elektrodenmateriaal wordt samengesteld (306aste 308 van fig. 4a); een ferroelectric materiaal (306 van fig. 4a) dat tussen de hoogste elektrode en de onderste elektrode wordt gesitueerd; en een hardmask die op de hoogste elektrode wordt gevormd en het bestaan van een uit bodem hardmask laag (402 van fig. 4a) en een hoogste hardmask laag (408 van fig. 4a) die op de bodem hardmask laag wordt, de hoogste hardmask laag bekwaam aan met tribune etchants die wordt gebruikt gevormd om de onderste elektrode, de hoogste elektrode, en het ferroelectric materiaal te etsen om de bodem hardmask laag te verlaten unremoved wezenlijk tijdens etst en de bodem hardmask laag die van een geleidend materiaal wordt samengesteld dat wezenlijk als barrière van de waterstofverspreiding dienst doet.
