An embodiment of the instant invention is a method of fabricating a planar
conductive via in an opening through a dielectric layer having a top
surface, a bottom surface and the opening having sides, the method
comprising the steps of: depositing a first conductive material (114 of
FIG. 7d) on the top surface of the dielectric layer and in the opening in
the dielectric layer to substantially fill the opening with the conductive
material; removing the portion of the first conductive material located on
the dielectric layer and removing a portion of the first conductive
material located in the opening in the dielectric layer to recess (406 of
FIG. 7d) the first conductive material below the top surface of the
dielectric layer; depositing a second conductive material (704 of FIG. 7d)
in the recess to form a substantially planar top surface substantially
coplanar with the top surface of the dielectric layer; and forming a third
conductive material (302 of FIG. 7d) on the second conductive material, at
least one of the second conductive material and the third conductive
material acting as a diffusion barrier to prevent oxidation of the first
conductive material.
Воплощением the instant вымысла будет метод изготовлять плоскостное проводное через внутри отверстие через диэлектрический слой имея верхнюю поверхность, нижнюю поверхность и отверстие имея стороны, метод состоя из шагов: депозирующ первый проводной материал (114 из FIG 7d) на верхней поверхности диэлектрического слоя и в отверстии в диэлектрическом слое существенн для того чтобы заполнить отверстие с проводным материалом; извлекающ часть первого проводного материала расположенного на диэлектрическом слое и извлекающ часть первого проводного материала расположенного в отверстии в диэлектрическом слое к гнезду (406 из FIG 7d) первый проводной материал под верхней поверхностью диэлектрического слоя; депозирующ второй проводной материал (704 из FIG 7d) в гнезде для того чтобы сформировать существенн плоскостную верхнюю поверхность существенн копланарную с верхней поверхностью диэлектрического слоя; и формирующ третий проводной материал (302 из FIG 7d) на втором проводном материале, по крайней мере одном второго проводного материала и третьего проводного материала действуя, что как барьер диффузии предотвратить оксидацию первого проводного материала.
