An embodiment of the instant invention is a method of fabricating a planar conductive via in an opening through a dielectric layer having a top surface, a bottom surface and the opening having sides, the method comprising the steps of: depositing a first conductive material (114 of FIG. 7d) on the top surface of the dielectric layer and in the opening in the dielectric layer to substantially fill the opening with the conductive material; removing the portion of the first conductive material located on the dielectric layer and removing a portion of the first conductive material located in the opening in the dielectric layer to recess (406 of FIG. 7d) the first conductive material below the top surface of the dielectric layer; depositing a second conductive material (704 of FIG. 7d) in the recess to form a substantially planar top surface substantially coplanar with the top surface of the dielectric layer; and forming a third conductive material (302 of FIG. 7d) on the second conductive material, at least one of the second conductive material and the third conductive material acting as a diffusion barrier to prevent oxidation of the first conductive material.

Воплощением the instant вымысла будет метод изготовлять плоскостное проводное через внутри отверстие через диэлектрический слой имея верхнюю поверхность, нижнюю поверхность и отверстие имея стороны, метод состоя из шагов: депозирующ первый проводной материал (114 из FIG 7d) на верхней поверхности диэлектрического слоя и в отверстии в диэлектрическом слое существенн для того чтобы заполнить отверстие с проводным материалом; извлекающ часть первого проводного материала расположенного на диэлектрическом слое и извлекающ часть первого проводного материала расположенного в отверстии в диэлектрическом слое к гнезду (406 из FIG 7d) первый проводной материал под верхней поверхностью диэлектрического слоя; депозирующ второй проводной материал (704 из FIG 7d) в гнезде для того чтобы сформировать существенн плоскостную верхнюю поверхность существенн копланарную с верхней поверхностью диэлектрического слоя; и формирующ третий проводной материал (302 из FIG 7d) на втором проводном материале, по крайней мере одном второго проводного материала и третьего проводного материала действуя, что как барьер диффузии предотвратить оксидацию первого проводного материала.

 
Web www.patentalert.com

< Golf ball comprising silicone material

< Carbon-bonded metal structures and methods of fabrication

> Hardmask designs for dry etching FeRAM capacitor stacks

> Integrated circuit with a recessed conductive layer

~ 00087