A contact structure for semiconductor devices which are integrated on a semiconductor layer is provided. The structure comprises at least one MOS device and at least one capacitor element where the contact is provided at an opening formed in an insulating layer which overlies at least in part the semiconductor layer. Further, the opening has its surface edges, walls and bottom coated with a metal layer and filled with an insulating layer.

Una struttura del contatto per i dispositivi a semiconduttore che sono integrati su uno strato a semiconduttore è fornita. La struttura contiene almeno un dispositivo del MOS ed almeno un elemento del condensatore in cui il contatto è fornito ad un'apertura formata in uno strato isolante che ricopre almeno in parte lo strato a semiconduttore. Più ulteriormente, l'apertura ha i relativi bordi di superficie, pareti e rivestito inferiore con uno strato del metallo e riempiti di strato isolante.