A semiconductor element having a p-zone on the anode side and an adjacent weakly doped n-zone which forms a blocking pn-junction with the p-zone, particularly a fast rectifier diode and a fast thyristor. To realize improved recovery behavior during commutation and good forward conduction and blocking characteristics in such components, the semiconductor element is configured in such a manner that the p-zone on the anode side includes an electron sink formed by a pn-junction formed of this zone and the adjacent n-zone; moreover, the thickness and the doping concentration of the region of the anode-side p-zone between the electron sink (S) and the pn-junction are selected in such a manner that the region of high injected charge carrier concentration under forward load extends close to the electron sink while, under a forward blocking load, the space charge zone in the p-zone does not extend to the electron sink.

Un elemento a semiconduttore che ha una p-zona sul lato dell'anodo e su una n-zona debolmente verniciata adiacente che forma una PN-GIUNZIONE ostruente con la p-zona, specialmente un diodo di raddrizzatore veloce e un tiristore veloce. Per realizzare il comportamento migliorato di recupero durante la commutazione e le buone caratteristiche di andata ostruire e di conduzione in tali componenti, l'elemento a semiconduttore è configurato in maniera tale che la p-zona dal lato dell'anodo includa un dispersore dell'elettrone costituito da una PN-GIUNZIONE formata di questa zona e della n-zona adiacente; inoltre, lo spessore e la concentrazione di verniciatura della regione della p-zona del anodo-lato fra il dispersore dell'elettrone (s) e la PN-GIUNZIONE sono selezionati in maniera tale che la regione di alta concentrazione in elemento portante iniettata della carica sotto il carico di andata si estenda vicino al dispersore dell'elettrone mentre, sotto un carico ostruente di andata, la zona della carica dello spazio nella p-zona non non estendere al dispersore dell'elettrone.