A lead frame for use in a resin-sealed semiconductor device includes: a lead frame with inner lead portion or inner lead portion and die pad portion being silver-plated and outer lead portion being solder-plated; and a semiconductor chip being die-bonded on said die pad portion and wire-bonded to said inner lead portion. The lead frame is constructed such that a solder plating layer is provided on the top surface of the lead frame while a tin plating layer is provided under the solder plating layer. Alternatively, a copper or nickel layer or layers are provided under the solder layer or between the solder layers.

Um frame da ligação para o uso em um dispositivo de semicondutor resina-selado inclui: um frame da ligação com parcela interna da ligação ou parcela interna da ligação e o dado acolchoam a parcela que é parcela silver-plated e exterior da ligação queestá sendo chapeada; e uma microplaqueta do semicondutor queestá sendo ligada em parcela dita da almofada do dado e fio-ligada a ligação dita a parcela interna. O frame da ligação é construído tais que uma camada do chapeamento da solda está fornecida na superfície superior do frame da ligação quando uma camada do chapeamento da lata for fornecida sob a camada do chapeamento da solda. Alternativamente, um cobre ou uma camada ou umas camadas niquelar são fornecidos sob a camada da solda ou entre as camadas da solda.