A memory device including at least one pair of spaced apart conductors and a ferroelectric material between the pair of conductors. The pair of conductors is spaced apart a distance sufficient to permit a tunneling current therebetween.

Un dispositivo de memoria incluyendo por lo menos un par de conductores separados espaciados y de un material ferroelectric entre el par de conductores. Espacian al par de conductores aparte una distancia suficiente permitir una corriente el hacer un túnel therebetween.