A process for forming a sacrificial collar on the top portion of a deep trench (114) of a semiconductor wafer (100). A nitride layer (116) is deposited within the trenches (114). A semiconductor material layer (120) is deposited over the nitride layer (116) and is etched back to a predetermined height (A) below the substrate 112 top surface. A semiconductor material plug (132) is formed at the top surface of the recessed semiconductor material layer (120), leaving a void (133) in the bottom of each trench (114). An oxide layer (134) and nitride layer (136) are formed over the wafer (100) and trenches (116), and the semiconductor material plug (132) and semiconductor material layer (120) are removed from the bottom of the trenches (116).

Een proces om een offerkraag op het hoogste gedeelte van een diepe geul (114) van een halfgeleiderwafeltje (100) te vormen. Een nitridelaag (116) wordt gedeponeerd binnen de geulen (114). Een halfgeleider materiële laag (120) wordt gedeponeerd meer dan nitridelaag (116) en terug naar een vooraf bepaalde hoogte (A) onder substraat 112 hoogste oppervlakte geëtst. Een halfgeleider materiële stop (132) wordt gevormd aan de hoogste oppervlakte van de in een nis gezette halfgeleider materiële laag (120), verlatend nietige (133) op de bodem van elke geul (114). Een oxydelaag (134) en nitridelaag (136) worden gevormd over wafeltje (100) en geulen (116), en halfgeleider materiële stop (132) en halfgeleider materiële laag (120) worden verwijderd uit de bodem van de geulen (116).