Nonvolatile ferroelectric memory and method for fabricating the same can reduce fatigue caused by repetitive switching, drop an operation voltage, and increase an operation speed of the nonvolatile ferroelectric memory. The nonvolatile ferroelectric memory includes a plurality of wordlines formed in one direction, and a plurality of a control line and a sensing line pairs formed in a direction crossing the wordlines at fixed intervals. Unit cells of the memory formed at intersections of the wordlines and the control and signal line pairs each have first transistors formed between the control line and the sensing line with a drain coupled to a prescribed voltage. Second transistors in the unit cells have a drain coupled to the sensing line, a source coupled to a source of the first transistor, and a gate coupled to the wordline, and third transistors in the unit cells have a drain coupled to the control line, a source coupled to a gate of the first transistor, and a gate coupled to the wordline. The first transistors can have a gate dielectric film formed of a ferroelectric material.

Het niet-vluchtige ferroelectric geheugen en de methode om het zelfde te vervaardigen kunnen moeheid verminderen die door herhaalde omschakeling wordt veroorzaakt, een verrichtingsvoltage laten vallen, en een verrichtingssnelheid van het niet-vluchtige ferroelectric geheugen verhogen. Het niet-vluchtige ferroelectric geheugen omvat een gevormde meerderheid van wordlines in één richting, en een meerderheid van een controlelijn en een het ontdekken lijnparen die in een richting worden gevormd die wordlines kruist met vaste intervallen. De cellen van de eenheid van het geheugen dat bij kruisingen van wordlines en de controle en signaallijnparen elk wordt gevormd hebben eerste transistors die tussen de controlelijn en de ontdekkende lijn met een afvoerkanaal worden gevormd dat aan een voorgeschreven voltage wordt gekoppeld. De tweede transistors in de eenheidscellen hebben een afvoerkanaal dat aan de ontdekkende lijn, een bron wordt gekoppeld die aan een bron van de eerste transistor wordt gekoppeld, en een poort die aan wordline wordt gekoppeld, en de derde transistors in de eenheidscellen hebben een afvoerkanaal dat aan de controlelijn wordt gekoppeld, een bron die aan een poort van de eerste transistor, en een poort wordt gekoppeld die aan wordline wordt gekoppeld. De eerste transistors kunnen een poort diëlektrische film hebben die van een ferroelectric materiaal wordt gevormd.