In one embodiment, a first dielectric film (24), and a second dielectric film (32) are formed over a substrate (10). The substrate is cured to at least partially change a property of the second dielectric film thereby forming an intermediate etch stop (46). A third dielectric film (42) is formed over the substrate (10). The substrate (10) is then etched to remove portions of the first dielectric film (24) and portions of the third dielectric film (42) using the intermediate etch stop (46) to form a portion of an interconnect opening (103). In an alternative embodiment, a resist layer (92), and portions of an interlevel dielectric layer (50) are etched. Upon completion of the step of etching, the photoresist layer (92) and portions of the interlevel dielectric layer (50) are completely removed.

Em uma incorporação, uma primeira película dieléctrica (24), e uma segunda película dieléctrica (32) são dadas forma sobre uma carcaça (10). A carcaça é curada para mudar ao menos parcialmente uma propriedade da segunda película dieléctrica que dá forma desse modo a um batente intermediário gravura em àgua forte (46). Uma terceira película dieléctrica (42) é dada forma sobre a carcaça (10). A carcaça (10) é gravada então para remover as parcelas da primeira película dieléctrica (24) e as parcelas da terceira película dieléctrica (42) usando o batente intermediário gravura em àgua forte (46) dar forma a uma parcela de uma abertura do interconnect (103). Em uma incorporação alternativa, uma camada resistir (92), e as parcelas de uma camada dieléctrica do interlevel (50) são gravadas. Em cima da conclusão da etapa gravura a água-forte, a camada de photoresist (92) e as parcelas da camada dieléctrica do interlevel (50) são removidas completamente.