The present invention relates to an improved method of forming and structure for under bump metallurgy ("UBM") pads for a flip chip which reduces the number of metal layers and requires the use of only a single passivation layer to form, thus eliminating a masking step required in typical prior art processes. The method also includes repatterning bond pad locations.

La presente invenzione riguarda un metodo migliorato formare e della struttura per i rilievi di sotto di metallurgia dell'urto ("UBM") per un circuito integrato di vibrazione che riduce il numero di strati del metallo e richiede l'uso soltanto di singolo strato di passività formare, così eliminante un punto mascherante richiesto nei processi tipici di arte anteriore. Il metodo inoltre include le posizioni repatterning del rilievo schiavo.