The present invention relates to an enhanced sequential atomic layer deposition (ALD) technique suitable for deposition of barrier layers, adhesion layers, seed layers, low dielectric constant (low-k) films, high dielectric constant (high-k) films, and other conductive, semi-conductive, and non-conductive films. This is accomplished by 1) providing a non-thermal or non-pyrolytic means of triggering the deposition reaction; 2) providing a means of depositing a purer film of higher density at lower temperatures; and, 3) providing a faster and more efficient means of modulating the deposition sequence and hence the overall process rate resulting in an improved deposition method.

Die anwesende Erfindung bezieht auf einer erhöhten aufeinanderfolgenden AtomTechnik der schichtabsetzung (ALD), die für Absetzung der Grenzschichten, der Adhäsion Schichten, der Samenschichten, der niedrigen (niedrigen-k verwendbar ist) Filme der Dielektrizitätskonstante, der hohen (hohen-k) Filme der Dielektrizitätskonstante und anderer leitender, halb-leitender und nicht leitfähiger Filme. Dieses wird vollendet, indem man 1) nicht-thermische oder nicht-pyrolytische Mittel des Auslösens der Absetzungreaktion zur Verfügung stellt; 2) Zur Verfügung stellen Mittel des Niederlegens eines reineren Filmes der höheren Dichte bei den niedrigeren Temperaturen; und, 3), schnellere und leistungsfähigere Mittel des Modulierens der Absetzungreihenfolge und folglich der gesamten Prozeßrate zur Verfügung stellend, resultierend in einer verbesserten Absetzungmethode.