Methods for manufacturing semiconductor devices are provided. First and second portions of a first metal layer are formed in a first interlayer insulating layer. A second interlayer insulating layer is formed to cover the first portion and has an opening that exposes the second portion. A dielectric layer is formed on the exposed second portion. A second metal layer is formed on the dielectric layer to fill the opening in a capacitor region. A via contact hole to expose the first portion is formed in the second insulating layer. A third metal layer is formed in the via contact hole. A third interlayer insulating layer is formed on the second interlayer insulating layer. Contact holes to expose the second metal layer and the third metal layer are formed in the third interlayer insulating layer. A fourth metal layer is formed in the contact holes.

Des méthodes pour fabriquer des dispositifs de semi-conducteur sont fournies. D'abord et les deuxièmes parties d'une première couche en métal sont formés dans une première couche de isolation de couche intercalaire. Une deuxième couche de isolation de couche intercalaire est formée pour couvrir la première partie et a une ouverture qui expose la deuxième partie. Une couche diélectrique est formée sur la deuxième partie exposée. Une deuxième couche en métal est formée sur la couche diélectrique pour remplir ouverture dans une région de condensateur. A par l'intermédiaire du trou de contact pour exposer la première partie est formé dans la deuxième couche de isolation. Une troisième couche en métal est formée dans par l'intermédiaire du trou de contact. Une troisième couche de isolation de couche intercalaire est formée sur la deuxième couche de isolation de couche intercalaire. Des trous de contact pour exposer la deuxième couche en métal et la troisième couche en métal sont formés dans la troisième couche de isolation de couche intercalaire. Une quatrième couche en métal est formée dans les trous de contact.