A container capacitor and method of forming the container capacitor are provided. The container capacitor comprises a lower electrode fabricated by forming a layer of doped polysilicon within a container in an insulative layer disposed on a substrate; forming a barrier layer over the polysilicon layer within the container; removing the insulative layer to expose the polysilicon layer outside the container; nitridizing the exposed polysilicon layer at a low temperature, preferably by remote plasma nitridation; removing the barrier layer to expose the inner surface of the polysilicon layer within the container; and forming HSG polysilicon over the inner surface of the polysilicon layer. The capacitor can be completed by forming a dielectric layer over the lower electrode, and an upper electrode over the dielectric layer. The cup-shaped bottom electrode formed within the container defines an interior surface comprising HSG polysilicon, and an exterior surface comprising smooth polysilicon.

Ein Behälterkondensator und eine Methode der Formung des Behälterkondensators werden zur Verfügung gestellt. Der Behälterkondensator enthält eine unterere Elektrode, die indem er eine Schicht lackiertes polysilicon innerhalb eines Behälters in einer insulative Schicht fabriziert wird, die, auf einem Substrat abgeschaffen wird bildet; eine Grenzschicht über dem polysilicon bildend, überlagern Sie innerhalb des Behälters; die insulative Schicht entfernend, um das polysilicon herauszustellen, überlagern Sie außerhalb des Behälters; das herausgestellte polysilicon nitridizing, überlagern Sie bei einer niedrigen Temperatur, vorzugsweise durch Remoteplasma nitridation; die Grenzschicht entfernend, um die innere Oberfläche des polysilicon herauszustellen, überlagern Sie innerhalb des Behälters; und HSG polysilicon über der inneren Oberfläche der polysilicon Schicht bildend. Der Kondensator kann durch die Formung einer dielektrischen Schicht über der untereren Elektrode und eine obere Elektrode über der dielektrischen Schicht durchgeführt werden. Die schalenförmige Grundelektrode, die innerhalb des Behälters gebildet wird, definiert eine Innenoberfläche, die HSG polysilicon enthalten, und eine Außenfläche, die glattes polysilicon enthält.