An atomic layer deposition (ALD) thin film deposition apparatus including a reactor in which a wafer is mounted and a thin film is deposited on the wafer, a first reaction gas supply portion for supplying a first reaction gas to the reactor, a second reaction gas supply portion for supplying a second reaction gas to the reactor, a first reaction gas supply line for connecting the first reaction gas supply portion to the reactor, a second reaction gas supply line for connecting the second reaction gas supply portion to the reactor, a first inert gas supply line for supplying an inert gas from an inert gas supply source to the first reaction gas supply line, a second inert gas supply line for supplying the inert gas from the inert gas supply source to the second reaction gas supply line, and an exhaust line for exhausting the gas from the reactor.

Un appareillage atomique de dépôt de la couche mince du dépôt de couche (ALD) comprenant un réacteur en lequel une gaufrette est montée et une couche mince est déposée sur la gaufrette, une première partie d'offre de gaz de réaction pour assurer un premier gaz de réaction au réacteur, une deuxième partie d'offre de gaz de réaction pour assurer un deuxième gaz de réaction au réacteur, une première canalisation d'alimentation de gaz de réaction pour relier la première partie d'offre de gaz de réaction au réacteur, une deuxième canalisation d'alimentation de gaz de réaction pour relier la deuxième partie d'offre de gaz de réaction au réacteur, une première canalisation d'alimentation de gaz inerte pour assurer un gaz inerte à partir d'une source d'offre de gaz inerte au premier gaz de réaction canalisation d'alimentation, une deuxième canalisation d'alimentation de gaz inerte pour assurer le gaz inerte à partir de la source d'offre de gaz inerte à la deuxième canalisation d'alimentation de gaz de réaction, et à une ligne d'échappement pour épuiser le gaz du réacteur.