A method for manufacturing an aluminum oxide film for use in a semiconductor device which includes the following steps: preparing a semiconductor substrate and setting the semiconductor substrate in a reaction chamber; supplying modified trimethyl aluminum (MTMA) as an aluminum source material into the reaction chamber so that it could be absorbed on the semiconductor substrate; discharging unreacted MTMA or by-product through a first pump by permitting nitrogen gas to flow into the reaction chamber and purging the chamber for vacuum status; supplying an oxygen source into the reaction chamber so that it could be absorbed on the semiconductor substrate; and discharging an unreacted oxygen source or by-product through a second pump by permitting nitrogen gas to flow into the reaction chamber and purging the chamber for vacuum status.

Une méthode pour fabriquer un film d'oxyde d'aluminium pour l'usage dans un dispositif de semi-conducteur qui inclut les étapes suivantes : préparant un substrat et un réglage de semi-conducteur du substrat de semi-conducteur dans une chambre de réaction ; aluminium triméthylique modifié d'approvisionnement (MTMA) comme matériel de source en aluminium dans la chambre de réaction de sorte qu'elle ait pu être absorbée sur le substrat de semi-conducteur ; déchargeant MTMA non réagi ou sous-produit par une première pompe en permettant au gaz d'azote de couler dans la chambre de réaction et en purgeant la chambre pour le statut de vide ; approvisionnement d'une source de l'oxygène dans la chambre de réaction de sorte qu'elle ait pu être absorbée sur le substrat de semi-conducteur ; et déchargeant une source ou un sous-produit non réagie de l'oxygène par une deuxième pompe en permettant au gaz d'azote de couler dans la chambre de réaction et en purgeant la chambre pour le statut de vide.