A switching circuit incorporating a high voltage transistor protection technique for use in an integrated circuit device having dual voltage supplies which extends the maximum pumped voltage ("VCCP") for reliable MOS transistor operation to VCCP=VTN+(2*VCC), where VTN is the threshold voltage of the transistor and VCC is the supply voltage level. This is effectuated by adding an additional relatively thick gate oxide transistor in series with the relatively thin gate oxide MOS N-channel transistors in a conventional high voltage switching circuit to increase the reliable maximum voltage for the high voltage power supply.

Een omschakelingskring die een de beschermingstechniek van de hoog voltagetransistor voor gebruik in een apparaat opneemt dat van geïntegreerde schakelingen dubbele voltagelevering dat het maximum gepompte voltage ("VCCP") heeft voor betrouwbare MOS transistorverrichting tot VCCP=VTN+ (2*VCC) uitbreidt, waar VTN het drempelvoltage van de transistor is en VCC is het niveau van het leveringsvoltage. Dit wordt bewerkstelligd door een extra vrij dikke transistor van het poortoxyde in reeks met de vrij dunne MOS van het poortoxyde N-channel transistors in een conventionele kring van de hoog voltageomschakeling toe te voegen om het betrouwbare maximumvoltage voor de levering van de hoog voltagemacht te verhogen.