Disclosed is a glass ceramic sintered product which contains as crystal phases: (i) a gahnite crystal phase; (ii) a celsian crystal phase containing needle-like crystals having an aspect ratio of not smaller than 3; and (iii) at least one kind of crystal phase selected from the group consisting of AlN, Si.sub.3 N.sub.4, SiC, Al.sub.2 O.sub.3, ZrO.sub.2, 3Al.sub.2 O.sub.3.2SiO.sub.2 and Mg.sub.2 SiO.sub.4 ; and has an open porosity of not larger than 0.3%. The glass ceramic sintered product is highly strong, has a high heat conductivity, a high Young's modulus, is dense, and can be produced through the firing at a low temperature of not higher than 1000.degree. C., and is very useful as an insulating substrate that has wiring layers of a low-resistance conductor such as Cu, Ag or Au on the surface thereof or in the inside thereof.

Worden gegeben ein keramisches gesintertes Glasprodukt frei, das enthält, wie Kristallphasen: (i) ein gahnite Kristallphase; (ii) ein die celsian Kristallphase, welche die nadelartigen Kristalle haben ein Längenverhältnis von nicht kleiner als 3 enthält; und (iii) mindestens eine Art Kristallphase vorgewählt von der Gruppe, die aus AlN, Si.sub.3 N.sub.4, SiC, Al.sub.2 O.sub.3, ZrO.sub.2, 3Al.sub.2 O.sub.3.2SiO.sub.2 und Mg.sub.2 SiO.sub.4 besteht; und hat eine geöffnete Porosität von nicht größer als 0.3%. Das keramische gesinterte Glasprodukt ist in hohem Grade stark, hat eine hohe Hitzeleitfähigkeit, einen hohen der Jugend Modul, ist dicht und kann durch die Zündung bei einer niedrigen Temperatur von nicht stark als 1000.degree produziert werden. C. und ist als isolierendes Substrat sehr nützlich, das Verdrahtung Schichten eines Niedrigwiderstand Leiters wie Cu, AG oder Au auf der Oberfläche davon oder im Innere davon hat.

 
Web www.patentalert.com

< Centrifuge bag and methods of use

< Integrated circuit memory devices having non-volatile memory transistors and methods of fabricating the same

> Circumferential confronting type motor

> Switching circuit utilizing a high voltage transistor protection technique for integrated circuit devices incorporating dual supply voltage sources

~ 00075