An integrated circuit device is provided that has a split-gate type memory transistor, a first capacitor element and a second capacitor element formed on a common chip. The dielectric strength of each of the split-gate type memory transistor, the first capacitor element and the second capacitor element can be improved. An intermediate insulation film of the split-gate type memory transistor can include a thermal oxide film, an HTO film, a side-section insulation film, and another thermal oxide film. A dielectric film of the first capacitor element can include a thermal oxide film, an HTO film, and another thermal oxide film, while a dielectric film of the second capacitor element can include a thermal oxide film, an HTO film, a silicon nitride film, and another thermal oxide film.

Μια συσκευή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων παρέχεται που διαμορφώνει μια κρυσταλλολυχνία μνήμης τύπων διάσπαση-πυλών, ένα πρώτο στοιχείο πυκνωτών και ένα δεύτερο στοιχείο πυκνωτών σε ένα κοινό τσιπ. Η διηλεκτρική δύναμη κάθε μια από την κρυσταλλολυχνία μνήμης τύπων διάσπαση-πυλών, το πρώτο στοιχείο πυκνωτών και το δεύτερο στοιχείο πυκνωτών μπορεί να βελτιωθεί. Μια ενδιάμεση ταινία μόνωσης της κρυσταλλολυχνίας μνήμης τύπων διάσπαση-πυλών μπορεί να περιλάβει μια θερμική ταινία οξειδίων, μια ταινία HTO, μια ταινία μόνωσης δευτερεύων-τμημάτων, και μια άλλη θερμική ταινία οξειδίων. Μια διηλεκτρική ταινία του πρώτου στοιχείου πυκνωτών μπορεί να περιλάβει μια θερμική ταινία οξειδίων, μια ταινία HTO, και μια άλλη θερμική ταινία οξειδίων, ενώ μια διηλεκτρική ταινία του δεύτερου στοιχείου πυκνωτών μπορεί να περιλάβει μια θερμική ταινία οξειδίων, μια ταινία HTO, μια ταινία νιτριδίων πυριτίου, και μια άλλη θερμική ταινία οξειδίων.