A process for selectively sealing ferroelectric capacitive elements in
non-volatile memory cells being integrated in a semiconductor substrate
and comprising at least one MOS transistor, which process comprises at
least the following steps: forming said at least one MOS transistor on the
semiconductor substrate, and depositing an insulating layer over the whole
surface of the semiconductor; and further comprises the steps of:
depositing a first metal layer to form, using a photolithographic
technique, a lower electrode of at least one ferroelectric capacitive
element; depositing a layer of a dielectric material onto said first
layer; depositing a second metal layer to form, using a photolithographic
technique, an upper electrode of at least one ferroelectric capacitive
element; depositing a layer of a sealing material onto said second metal
layer; defining the dielectric material layer and sealing layer by a
single photolithographic defining step, so as to pattern said dielectric
layer and concurrently seal said at least one capacitive element.
Un procédé pour sceller sélectivement les éléments capacitifs ferroelectric en cellules de mémoire non-volatile étant intégrées dans un substrat de semi-conducteur et comportant au moins un transistor de MOS, que le processus comporte au moins les étapes suivantes : formation dite au moins un transistor de MOS sur le substrat de semi-conducteur, et déposer une couche de isolation au-dessus de la surface entière du semi-conducteur ; et comporte plus loin les étapes de : en déposant un premier métal posez pour former, en utilisant une technique photolithographic, une électrode inférieure au moins d'un élément capacitif ferroelectric ; déposer une couche d'un matériel diélectrique sur ladite première couche ; en déposant un deuxième métal posez pour former, en utilisant une technique photolithographic, une électrode supérieure au moins d'un élément capacitif ferroelectric ; déposer une couche d'un matériel de cachetage sur ladite deuxième couche en métal ; définissant la couche matérielle diélectrique et scellant la couche par une étape définissante photolithographic simple, afin de modeler ladite couche diélectrique et la sceller concurremment ait dit au moins un élément capacitif.
