A nitride hard mask (230) is used to isolate active areas of a DRAM cell. The shallow trench isolation (STI) method includes forming memory cells comprising deep trenches (216) on a semiconductor wafer (200). The memory cell deep trenches (216) are separated from active areas (212) by a region of substrate (212). A nitride hard mask (230) is formed over the semiconductor wafer (200). The wafer (200) is patterned with the nitride hard mask (230), and the wafer (200) is etched to remove the region of substrate (212) between the deep trenches and active areas to provide shallow trench isolation. An etch chemistry selective to the nitride hard mask (230) is used.

Een nitride hard masker (230) wordt gebruikt om actieve gebieden van een DRAM cel te isoleren. De methode ondiepe van de geulisolatie (STI) omvat het vormen van geheugencellen bestaand uit diepe geulen (216) op een halfgeleiderwafeltje (200). Diepe geulen van de geheugencel (216) worden gescheiden van actieve gebieden (212) door een gebied van substraat (212). Een nitride hard masker (230) wordt gevormd over het halfgeleiderwafeltje (200). Wafeltje (200) is gevormd met het nitride harde masker (230), en wafeltje (200) wordt geëtst om het gebied van substraat (212) tussen de diepe geulen en de actieve gebieden te verwijderen om ondiepe geulisolatie te verstrekken. Ets chemie selectief aan het nitride hard masker (230) wordt gebruikt.