A method of making a micro electro-mechanical switch or tunneling sensor. A cantilevered beam structure and a mating structure are defined on an etch stop layer on a first substrate or wafer; and at least one contact structure and a mating structure are defined on a second substrate or wafer, the mating structure on the second substrate or wafer being of a complementary shape to the mating structure on the first substrate or wafer. A bonding layer, preferably a eutectic bonding layer, is provided on at least one of the mating structures. The mating structure of the first substrate is moved into a confronting relationship with the mating structure of the second substrate or wafer. Pressure is applied between the two substrates so as to cause a bond to occur between the two mating structures at the bonding or eutectic layer. Then the first substrate or wafer and the etch stop layer are removed to free the cantilevered beam structure for movement relative to the second substrate or wafer.

Eine Produktionsmethode einen elektromechanischen Mikroschalter oder das Einen Tunnel anlegen des Sensors. Eine freitragende Lichtstrahlstruktur und eine fügende Struktur werden auf einer Ätzungendschicht auf einem ersten Substrat oder einer Oblate definiert; und mindestens werden eine Kontaktstruktur und eine fügende Struktur auf einem zweiten Substrat oder eine Oblate, die fügende Struktur auf dem zweiten Substrat oder die Oblate, die von einer ergänzenden Form zur fügenden Struktur auf dem ersten Substrat oder der Oblate ist definiert. Eine Abbindenschicht, vorzugsweise eine eutektische Abbindenschicht, wird auf einer mindestens der fügenden Strukturen zur Verfügung gestellt. Die fügende Struktur des ersten Substrates wird in ein Konfrontierenverhältnis zur fügenden Struktur des zweiten Substrates oder der Oblate verschoben. Druck wird zwischen den zwei Substraten angewendet, um eine Bindung zu veranlassen, zwischen den zwei fügenden Strukturen am Abbinden oder an der eutektischen Schicht aufzutreten. Dann werden das erste Substrat oder die Oblate und die Ätzungendschicht entfernt, um die freitragende Lichtstrahlstruktur für Bewegung im Verhältnis zu dem zweiten Substrat oder der Oblate freizugeben.