Disclosed is a semiconductor die having a lower test structure formed in a lower metal layer of the semiconductor die. The lower conductive test structure has a first end and a second end. The first end is coupled to a predetermined voltage level. The semiconductor die also includes an insulating layer formed over the lower metal layer. The die further includes an upper test structure formed in an upper metal layer of the semiconductor die. The upper conductive test structure is coupled with the second end of the lower conductive test structure. The upper metal layer is formed over the insulating layer. In a specific implementation, the first end of the lower test structure is coupled to ground. In another embodiment, the semiconductor die also includes a substrate and a first via coupled between the first end of the lower test structure and the substrate. In yet another aspect, the lower test structure is an extended metal line, and the upper test structure is a voltage contrast element. Methods for inspecting and fabricating such semiconductor die are also disclosed.

È rilevato un dado a semiconduttore che fa una struttura più bassa della prova formare in uno strato più basso del metallo del dado a semiconduttore. La struttura conduttiva più bassa della prova ha una prima estremità e una seconda estremità. La prima estremità è accoppiata ad un livello di tensione predeterminato. Il dado a semiconduttore inoltre include uno strato isolante formato sopra lo strato più basso del metallo. Il dado ulteriore include una struttura superiore della prova formata in uno strato superiore del metallo del dado a semiconduttore. La struttura conduttiva superiore della prova è accoppiata con la seconda estremità della struttura conduttiva più bassa della prova. Lo strato superiore del metallo è eccedenza formata lo strato isolante. In un'esecuzione specifica, la prima estremità della struttura più bassa della prova coppia per macinare. In un altro incorporamento, il dado a semiconduttore inoltre include un substrato e un primo via accoppiato fra la prima estremità della struttura più bassa della prova ed il substrato. In ancora un altra funzione, la struttura più bassa della prova è una linea estesa del metallo e la struttura superiore della prova è un elemento di contrasto di tensione. I metodi per il controllo e fabbricare del tale dado a semiconduttore inoltre sono rilevati.