A SAW (surface acoustic wave) filter manufactured by using a GaN piezoelectric thin film, and a manufacturing method therefor, are disclosed. The SAW filter of a high frequency band includes an .alpha.-Al.sub.2 O.sub.3 single crystal substrate. A GaN piezoelectric single crystal thin film of [0001] direction is formed to a thickness of 0.3-300 .mu.m on the substrate, and an IDT electrode pattern is formed on the GaN piezoelectric single crystal thin film. The method for manufacturing a SAW filter of a high frequency band includes the following steps. An .alpha.-Al.sub.2 O.sub.3 single crystal substrate is prepared, and then, a GaN piezoelectric single crystal thin film of [0001] direction is epitaxially grown to a thickness of 0.3-300 .mu.m on the substrate. Then an IDT electrode pattern is formed on the GaN piezoelectric single crystal thin film.

Um filtro da SERRA (onda acústica de superfície) manufaturado usando uma película fina piezoelectric de GaN, e um método de manufacturing therefor, são divulgados. O filtro da SERRA de uma faixa de alta freqüência inclui uma carcaça do único cristal do alpha.-Al.sub.2 O.sub.3. Uma película fina piezoelectric de único cristal de GaN do sentido [ de 0001 ] é dada forma a uma espessura de 0.3-300 mu.m na carcaça, e um teste padrão do elétrodo de IDT é dado forma na película fina piezoelectric de único cristal de GaN. O método para manufaturar um filtro da SERRA de uma faixa de alta freqüência inclui as seguintes etapas. Uma carcaça do único cristal do alpha.-Al.sub.2 O.sub.3 é preparada, e então, uma película fina piezoelectric de único cristal de GaN do sentido [ de 0001 ] é crescida epitaxially a uma espessura de 0.3-300 mu.m na carcaça. Um teste padrão do elétrodo de IDT é dado forma então na película fina piezoelectric de único cristal de GaN.