A contact for n-type III-V semiconductor such as GaN and related nitride-based semiconductors is formed by depositing Al,Ti,Pt and Au in that order on the n-type semiconductor and annealing the resulting stack, desirably at about 400-600.degree. C. for about 1-10 minutes. The resulting contact provides a low-resistance, ohmic contact to the semiconductor and excellent bonding to gold leads.

Een contact voor n-type IIIV wordt halfgeleider zoals GaN en verwante op nitride-gebaseerde halfgeleiders gevormd door Al, Ti, PT en Au in die orde op de n-type halfgeleider te deponeren en de resulterende stapel, wenselijk bij 400-600.degree. C. ongeveer te ontharden ongeveer 1-10 minuten. Het resulterende contact verstrekt een laag-weerstand, ohmic contact aan de halfgeleider en het uitstekende plakken op gouden lood.
 
Web www.patentalert.com

< Formation of ohmic contacts in III-nitride light emitting devices

< Light emitting device, production method thereof, and light emitting apparatus and display unit using the same

> Method for growing low-defect single crystal heteroepitaxial films

> Saw filter manufactured by using GaN single crystal thin film, and manufacturing method therefore
~ 00092