P-type layers of a GaN based light-emitting device are optimized for formation of Ohmic contact with metal. In a first embodiment, a p-type GaN transition layer with a resistivity greater than or equal to about 7 .OMEGA.cm is formed between a p-type conductivity layer and a metal contact. In a second embodiment, the p-type transition layer is any III-V semiconductor. In a third embodiment, the p-type transition layer is a superlattice. In a fourth embodiment, a single p-type layer of varying composition and varying concentration of dopant is formed.

il P-tipo strati di dispositivo luminescente basato GaN è ottimizzato per formazione del contatto ohmico con metallo. In un primo incorporamento, un p-tipo strato di transizione di GaN con una resistività superiore o uguale a OMEGA.cm Circa 7 è formato fra un p-tipo strato di conducibilità e un contatto del metallo. In un secondo incorporamento, il p-tipo strato di transizione è tutto il semiconduttore di III-V. In un terzo incorporamento, il p-tipo strato di transizione è un superlattice. In un incorporamento di quarto, un singolo p-tipo strato di composizione di variazione e la concentrazione di variazione di dopant è formato.