An n-type cladding layer formed of a non-single crystal body of n-type AlGaN, a light emitting layer containing a plurality of micro-crystals made from ZnO, and a p-type cladding layer formed of a non-single crystal body of p-type BN are sequentially stacked on a substrate made from quartz glass. An insulating layer is formed between the n-type cladding layer and the p-type cladding layer in such a manner as to bury spaces between the micro-crystals, to thereby prevent occurrence of leakage current. The insulating layer is formed by oxidizing the surface of the n-type cladding layer. Since the light emitting layer contains the plurality of micro-crystals improved in crystallinity, it is possible to enhance the emission efficiency, to extend the selection range of each of materials for forming the light emitting layer, n-type cladding layer, p-type cladding layer, and substrate, and to form a device array on a common substrate having a large area.

Слой плакирования н-tipa сформировал нон-odinocnogo crystal тела н-tipa AlGaN, светлого испуская слоя содержа множественность микро--kristallov сделанных от ZnO, и слой плакирования п-tipa сформированный нон-odinocnogo crystal тела BN п-tipa последовательн штабелирован на субстрате сделанном от стекла кварца. Изолируя слой сформирован между слоем плакирования н-tipa и слоем плакирования п-tipa в таком образе о пространствах bury между микро--kristally, таким образом для того чтобы предотвратить возникновение течения утечки. Изолируя слой сформирован путем окислять поверхность слоя плакирования н-tipa. С светлого испуская слоя содержит множественность улучшенных микро--kristallov в кристалличности, ем будет по возможности для того чтобы увеличить эффективность излучения, продлить ряд выбора каждого из материалов для формировать светлый испуская слой, слой плакирования н-tipa, слой плакирования п-tipa, и субстрат, и сформировать блок приспособления на общем субстрате имея большую область.

 
Web www.patentalert.com

< Phosphor blends for generating white light from near-UV/blue light-emitting devices

< Formation of ohmic contacts in III-nitride light emitting devices

> Contact to n-GaN with Au termination

> Method for growing low-defect single crystal heteroepitaxial films

~ 00088