A method is disclosed for growing high-quality low-defect crystal films heteroepitaxially on substrates that are different than the crystal films. The growth of the first two heteroepitaxial bilayers is performed on a first two-dimensional nucleate island before a second growth of two-dimensional nucleation is allowed to start. The method is particularly suited for the growth of 3C-SiC, 2H-AlN, or 2H-GaN on 6H-SiC, 4H-SiC, or silicon substrates.

Un metodo è rilevato per le pellicole di cristallo crescenti di basso-difetto di alta qualità heteroepitaxially sui substrati che sono differenti che le pellicole di cristallo. Lo sviluppo dei primi due bilayers heteroepitaxial è realizzato su una prima isola bidimensionale del nucleate prima che un secondo sviluppo di nucleazione bidimensionale sia permesso cominciare. Il metodo è adatto specialmente per lo sviluppo di 3C-SiC, di 2H-AlN, o di 2H-GaN su 6H-SiC, su 4H-SiC, o sui substrati del silicone.