There is provided a semiconductor device having a ferroelectric capacitor formed on a semiconductor substrate covered with an insulator film, wherein the ferroelectric capacitor comprises: a bottom electrode formed on the insulator film; a ferroelectric film formed on the bottom electrode; and a top electrode formed on the ferroelectric film. The ferroelectric film has a stacked structure of either of two-layer-ferroelectric film or three-layer-ferroelectric film. The upper ferroelectric film is metallized and prevents hydrogen from diffusing in lower ferroelectric layer. Crystal grains of the stacked ferroelectric films are preferably different.

On fournit un dispositif de semi-conducteur faisant former un condensateur ferroelectric sur un substrat de semi-conducteur couvert de film de isolateur, où le condensateur ferroelectric comporte : une électrode de sole a formé sur le film de isolateur ; un film ferroelectric a formé sur l'électrode de sole ; et une électrode supérieure a formé sur le film ferroelectric. Le film ferroelectric a une structure empilée de de film de deux-couche-ferroelectric ou de film de trois-couche-ferroelectric. Le film ferroelectric supérieur est métallisé et empêche l'hydrogène de répandre dans la couche ferroelectric inférieure. Les grains en cristal des films ferroelectric empilés sont de préférence différents.