In the present invention, provided are a semiconductor device having a semiconductor-element-mounting substrate on which a semiconductor element has been mounted via an adhesive having an exothermic-reaction curing start temperature of 130.degree. C. or below as measured with a differential scanning calorimeter at a heating rate of 10.degree. C./minute, and a process for its fabrication.

In der anwesenden Erfindung vorausgesetzt ein Halbleiterelement sind, das ein Halbleiter-Element-Montage Substrat hat, an dem ein Halbleiterelement über einen Kleber angebracht worden ist, der eine Exothermischreaktion kurierende Anfangstemperatur von 130.degree hat. C. oder unten, wie mit einem Differenzscanningkalorimeter mit einer Heizquote von 10.degree gemessen. C./minute und ein Prozeß für seine Herstellung.