To provide an MRAM, in which the information readout speed of the MRAM is increased up to a speed comparable to a synchronous DRAM, the MRAM includes a plurality of units each including a plurality of memory elements arranged in a matrix form, each of which includes a non-magnetic layer sandwiched between a hard layer made of a magnetic material and a soft layer made of a magnetic substance having coercive force lower than the hard layer; a plurality of bit lines arranged in parallel with each other; and a plurality of sense amplifiers connected to the respective bit lines, wherein the plurality of sense amplifiers in the same unit are activated at the same time to read out information in the unit, the units are successively changed over in synchronization with a clock pulse, and the sense amplifiers in the different units are successively activated.

Pour fournir un MRAM, dans lequel la vitesse d'afficheur de l'information du MRAM est augmentée jusqu'à une vitesse comparable à une DRACHME synchrone, le MRAM inclut une pluralité d'unités chacune comprenant une pluralité d'éléments de mémoire disposés sous une forme de matrice, dont chacune inclut une couche non magnétique serrée entre une couche dure faite d'un matériel magnétique et une couche douce faite d'une substance magnétique ayant la force coercitive inférieure à la couche dure ; une pluralité de lignes de peu a arrangé parallèlement à l'un l'autre ; et une pluralité d'amplificateurs de sens reliés aux lignes respectives de peu, où la pluralité d'amplificateurs de sens dans la même unité sont activées en même temps pour donner lecture l'information dans l'unité, les unités sont successivement changées plus de dans la synchronisation avec une impulsion d'horloge, et les amplificateurs de sens dans les différentes unités sont successivement activés.

 
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< Memory having write current ramp rate control

< Magnetic memory using reverse magnetic field to improve half-select margin

> Memory device having wide margin of data reading operation, for storing data by change in electric resistance value

> Consolidation method of junction contact etch for below 150 nanometer deep trench-based DRAM devices

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