Read word lines are disposed in correspondence with rows of memory cells arranged in a matrix, and bit lines and reference voltage lines are disposed in correspondence with the columns. A data read current is passed through a current path passing a selected memory cell, which is formed between a data read circuit and a read reference voltage via a data bus, a column selection gate, a bit line, and a reference voltage line. The data read circuit detects a voltage change occurring in the selected memory cell due to the data read current and outputs read data. A sum of an electric resistance value of the bit line and an electric resistance value of the reference voltage line in a portion included in the current path is set to be almost constant without depending on a row to which the selected memory cell belongs.

Lesen Sie Wortlinien werden abgeschaffen in der Korrespondenz mit Reihen der Speicherzellen, die in einer Matrix geordnet werden, und bissen Linien und Bezugsspannung Linien werden in der Korrespondenz mit den Spalten abgeschaffen. Ein Datenlesen Strom wird durch einen gegenwärtigen Weg geführt, der eine vorgewählte Speicherzelle führt, die zwischen einem Datenlesen Stromkreis und einer gelesenen Bezugsspannung über einen Datenübertragungsweg, einem Spalte Vorwählergatter, einer Spitze Linie und einer Bezugsspannung Linie gebildet wird. Der Datenlesen Stromkreis ermittelt eine Spannung Änderung aufzutreten in der vorgewählten Speicherzelle wegen des Datenlesen Stromes und gibt gelesene Daten aus. Eine Summe eines elektrischer Widerstand Wertes der Spitze Linie und des elektrischer Widerstand Wertes der Bezugsspannung Linie in einem Teil, der im gegenwärtigen Weg eingeschlossen ist, wird eingestellt, um außen abhängig von einer Reihe fast konstant zu sein, der die vorgewählte Speicherzelle gehört.