A direct-wafer-bonded, double heterojunction, light emitting semiconductor device includes an ordered array of quantum dots made of one or more indirect band gap materials selected from a group consisting of Si, Ge, SiGe, SiGeC, 3C--SiC, and hexagonal SiC, wherein the quantum dots are sandwiched between an n-type semiconductor cladding layer selected from a group consisting of SiC, 3C--SiC, 4H--SiC, 6H--SiC and diamond, and a p-type semiconductor cladding layer selected from a group consisting of SiC, 3C--SiC, 4H--SiC, 6H--SiC and diamond. A Ni contact is provided for the n-type cladding layer. An Al, a Ti or an Al/Ti alloy contact is provided for the p-type cladding layer. The quantum dots have a thickness that is no greater than about 250 Angstroms, a width that is no greater than about 200 Angstroms, and a center-to-center spacing that is in the range of from about 10 Angstroms to about 1000 Angstroms.

Um heterojunction dirij-wafer-ligado, dobro, dispositivo de semicondutor emitindo-se claro inclui uma disposição requisitada dos pontos do quantum feitos de um ou mais material indireto da abertura da faixa selecionado de um grupo que consiste no silicone, o Ge, o SiGe, o SiGeC, o 3C -- SiC, e SiC sextavado, wherein os pontos do quantum são imprensados entre um n-tipo camada do cladding do semicondutor selecionada de um grupo que consiste em SiC, 3C -- SiC, o 4H -- SiC, 6H -- SiC e o diamante, e um p-tipo camada do cladding do semicondutor selecionada de um grupo que consiste em SiC, em 3C -- SiC, 4H -- SiC, em 6H -- SiC e em diamante. Um contato do Ni é fornecido para o n-tipo camada do cladding. Um al, um ti ou um contato da liga de Al/Ti são fornecidos para o p-tipo camada do cladding. Os pontos do quantum têm uma espessura que seja não mais grande do que aproximadamente 250 angstroms, uma largura que seja não mais grande do que aproximadamente 200 angstroms, e um afastamento do centro-à-centro que esteja na escala de aproximadamente 10 angstroms a aproximadamente 1000 angstroms.