In a method for cleaning a copper surface of a semiconductor wafer or article, nitrogen gas is bubbled or dissolved into a strong alkaline solution, displacing dissolved oxygen from the solution. A nitrogen gas environment is provided over the copper surface. The alkaline solution is then applied to the copper surface. The copper etch rate is greatly reduced. The method is useful in removing residual polishing slurry after a chemical-mechanical polishing step, and for removing residues left in via holes after plasma etching.

In een methode om een koperoppervlakte van een een halfgeleiderwafeltje of artikel schoon te maken, wordt het stikstofgas geborreld of in een sterke alkalische oplossing opgelost, verplaatsend opgeloste zuurstof van de oplossing. Een milieu van het stikstofgas wordt verstrekt over de koperoppervlakte. De alkalische oplossing wordt dan toegepast op de koperoppervlakte. Het koper etst tarief zeer wordt verminderd. De methode is nuttig in het verwijderen van overblijvende oppoetsende dunne modder na een chemisch-mechanische oppoetsende stap, en voor het verwijderen van residu's binnen verlaten via gaten na plasma ets.