A process for removing at least one thin-film layer from a surface of a workpiece pursuant to manufacturing a microelectronic interconnect or component is set forth. Generally stated, the process comprises the oxidation of at least a portion of the at least one thin-film layer and the etching of the oxidized thin-film layer using an etchant that selectively etches primarily the oxidized thin-film layer.

Un procedimento per la rimozione almeno dell'uno strato di sottili pellicole da una superficie di un pezzo in lavorazione conforme a produrre un'interconnessione o un componente microelettronica è disposto. Dichiarato generalmente, il processo contiene l'ossidazione almeno una parte del almeno uno strato di sottili pellicole ed acquaforte dello strato di sottili pellicole ossidato usando un etchant che incide selettivamente soprattutto lo strato all'acquaforte di sottili pellicole ossidato.