A reactor for electrochemically processing at least one surface of a microelectronic workpiece is set forth. The reactor comprises a reactor head including a workpiece support that has one or more electrical contacts positioned to make electrical contact with the microelectronic workpiece. The reactor also includes a processing container having a plurality of nozzles angularly disposed in a sidewall of a principal fluid flow chamber at a level within the principal fluid flow chamber below a surface of a bath of processing fluid normally contained therein during electrochemical processing. A plurality of anodes are disposed at different elevations in the principal fluid flow chamber so as to place them at difference distances from a microelectronic workpiece under process without an intermediate diffuser between the plurality of anodes and the microelectronic workpiece under process. One or more of the plurality of anodes may be in close proximity to the workpiece under process. Still further, one or more of the plurality of anodes may be a virtual anode. The present invention also related to multi-level anode configurations within a principal fluid flow chamber and methods of using the same.

Установлен реактор для электрохимически обрабатывать по крайней мере одну поверхность микроэлектронного workpiece. Реактор состоит из головки реактора включая поддержку workpiece имеет one or more электрические контакты расположенные для того чтобы сделать электрический контакт с микроэлектронным workpiece. Реактор также вклюает обрабатывая контейнер имея множественность сопл углово размещанных в стенке главным образом жидкой камеры подачи на уровне внутри главным образом жидкая камера подачи под поверхностью ванны обрабатывать жидкость нормальн, котор содержат в этом во время электрохимический обрабатывать. Множественность анодов размещана на по-разному высотах в главным образом жидкой камере подачи для того чтобы установить их на расстояниях разницы от микроэлектронного workpiece под процессом без промежуточного отражетеля между множественностью анодов и микроэлектронного workpiece под процессом. One or more из множественности анодов может находиться в близкой близости к workpiece под процессом. Still further, one or more из множественностью анодов может быть фактически анод. Присытствыющий вымысел также отнес к multi-level конфигурациям анода внутри главным образом жидкая камера подачи и методам использования этих же.