A process for producing structured layers on a base body, in particular a semiconductor body, includes the steps of providing a first layer, structuring the first layer with a partial or complete local layer erosion to form raised and recessed layer regions, and depositing a second layer. The structured first layer is a provided as a permanently remaining layer. Edges are formed at transitions from raised to recessed layer regions. The height difference at the edges of the structured first layer separates individual layer regions of the second layer. The edges of the raised regions act as partition edges for the second layer. A process for producing components of an integrated circuit and a process for producing a memory configuration are also provided.

Un procédé pour produire des couches structurées sur un corps bas, en particulier un corps de semi-conducteur, inclut les étapes de fournir une première couche, de structurer la première couche avec une érosion locale partielle ou complète de couche aux régions augmentées et enfoncées de forme de couche, et une deuxième couche. La première couche structurée est fourni comme couche de manière permanente restante. Des bords sont formés aux transitions d'augmenté aux régions enfoncées de couche. La différence de taille aux bords de la première couche structurée sépare différentes régions de couche de la deuxième couche. Les bords des régions augmentées agissent en tant que bords de cloison pour la deuxième couche. Un procédé pour produire des composants d'un circuit intégré et un procédé pour produire une configuration de mémoire sont également fournis.