A semiconductor integrated circuit has a ferroelectric capacitor. The ferroelectric capacitor includes a first insulation film formed above a semiconductor substrate, a first electrode which is buried in a fist hole formed in the first insulation film and whose surface is flattened, a second insulation film formed above the first insulation film and having a second hole above the first electrode, a ferroelectric film formed in the second hole, and a second electrode formed in the second hole and above the ferroelectric film and flattened so as to be flush with a surface of the second insulation film.

Un circuito integrato a semiconduttore ha un condensatore ferroelectric. Il condensatore ferroelectric include una prima pellicola dell'isolamento formata sopra un substrato a semiconduttore, un primo elettrodo che è sepolto in un foro del pugno formato nella prima pellicola dell'isolamento e di cui la superficie è appiattita, una seconda pellicola dell'isolamento formata sopra la prima pellicola dell'isolamento e fare un secondo formare foro sopra il primo elettrodo, una pellicola ferroelectric nel secondo foro e un secondo elettrodo essere formato nel secondo foro e sopra la pellicola ferroelectric ed essere appiattito in modo da essere a livello di una superficie della seconda pellicola dell'isolamento.