In order to provide a particularly space-saving capacitor configuration in a memory device, a plurality of second electrode regions which are not in direct electrical contact with one another are formed on areas of a first electrode region covered by a dielectric material. During operation of the capacitor configuration, portions of the first electrode region form bottom electrodes which are connected by a connecting region, so that an additional connecting device for the bottom electrodes is not necessary.

Προκειμένου να παρασχεθεί μια ιδιαίτερα διαμόρφωση εξοικονομητικών χώρου πυκνωτών σε μια συσκευή μνήμης, μια πολλαπλότητα των δεύτερων περιοχών ηλεκτροδίων που δεν είναι σε άμεση ηλεκτρική επαφή με τη μια άλλη διαμορφώνεται στις περιοχές μιας πρώτης περιοχής ηλεκτροδίων που καλύπτεται από ένα διηλεκτρικό υλικό. Κατά τη διάρκεια της λειτουργίας της διαμόρφωσης πυκνωτών, οι μερίδες της πρώτης περιοχής ηλεκτροδίων διαμορφώνουν τα κατώτατα ηλεκτρόδια που συνδέονται με μια συνδέοντας περιοχή, έτσι ώστε μια πρόσθετη συνδέοντας συσκευή για τα κατώτατα ηλεκτρόδια δεν είναι απαραίτητη.

 
Web www.patentalert.com

< Memory cells with improved reliability

< Semiconductor integrated circuit and method for manufacturing the same

> Process for producing structured layers, process for producing components of an integrated circuit, and process for producing a memory configuration

> Nonvolatile ferroelectric memory device and method for driving the same

~ 00090