A method for fabricating integrated capacitors, of particular utility in
forming a ferroelectric capacitor array for a ferroelectric memory
integrated circuits, begins with provision of a substrate. The substrate
is typically a partially-processed CMOS integrated circuit wafer coated
with an adhesion layer. Upon the substrate is deposited a bottom electrode
layer, typically of noble metal, a dielectric layer, typically doped PZT,
and a top electrode layer, typically a noble metal oxide. Next is
deposited a hardmask layer of strontium ruthenium oxide, followed by a
photoresist layer. The photoresist layer is aligned, exposed, developed,
and cured as known in the art of integrated circuit photolithography. The
resulting stack is then dry etched to remove undesired portions of the
hardmask layer, the top electrode layer, and the dielectric layer. A
principle advantage of the process is that a single photomasking operation
is sufficient to define the top electrode and dielectric layers.
Μια μέθοδος για τους ενσωματωμένους πυκνωτές, της ιδιαίτερης χρησιμότητας με διαμόρφωση μιας σιδηροηλεκτρικής σειράς πυκνωτών για ολοκληρωμένα κυκλώματα μιας τα σιδηροηλεκτρικά μνήμης, αρχίζει με την παροχή υποστρώματος. Το υπόστρωμα είναι χαρακτηριστικά μια μερικώς-επεξεργασμένη γκοφρέτα ολοκληρωμένων κυκλωμάτων CMOS που ντύνεται με ένα στρώμα προσκόλλησης. Επάνω στο υπόστρωμα κατατίθεται ένα στρώμα κατώτατων ηλεκτροδίων, χαρακτηριστικά του ευγενούς μετάλλου, ενός διηλεκτρικού στρώματος, ενός χαρακτηριστικά ναρκωμένου PZT, και ενός κορυφαίου στρώματος ηλεκτροδίων, χαρακτηριστικά ένα ευγενές μεταλλικό οξείδιο. Έπειτα κατατίθεται ένα στρώμα hardmask ruthenium στροντίου του οξειδίου, που ακολουθείται από ένα photoresist στρώμα. Το photoresist στρώμα ευθυγραμμίζεται, εκτίθεται, αναπτύσσεται, και θεραπεύεται όπως είναι γνωστό στην τέχνη της φωτολιθογραφίας ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Ο προκύπτων σωρός είναι έπειτα ξηρός που χαράζεται για να αφαιρέσει τις ανεπιθύμητες μερίδες του στρώματος hardmask, του κορυφαίου στρώματος ηλεκτροδίων, και του διηλεκτρικού στρώματος. Ένα πλεονέκτημα αρχής της διαδικασίας είναι ότι μια ενιαία photomasking λειτουργία είναι επαρκής για να καθορίσει το κορυφαίο ηλεκτρόδιο και τα διηλεκτρικά στρώματα.
