Described herein is a resistor layer for use in field emission display devices and the like, and its method of manufacture. The resistor layer is an amorphous silicon layer doped with nitrogen and phosphorus. Nitrogen concentration in the resistor layer is preferably between about 5 and 15 atomic percent. The presence of nitrogen and phosphorus in the silicon prevents diffusion of Si atoms into metal conductive layers such as aluminum, even up to diffusion and packaging temperatures. The nitrogen and phosphorus also prevent defects from forming at the boundary between the resistor layer and metal conductor. This leads to better control over shorting and improved resistivity in the resistor.

Hierin beschreven zijn een weerstandslaag voor gebruik in de vertoningsapparaten van de gebiedsemissie en dergelijke, en zijn methode van vervaardiging. De weerstandslaag is een amorfe siliciumlaag die met stikstof en fosfor wordt gesmeerd. De concentratie van de stikstof in de weerstandslaag is bij voorkeur tussen ongeveer 5 en 15 atoompercenten. De aanwezigheid van stikstof en fosfor in het silicium verhindert verspreiding van de atomen van Si in metaal geleidende lagen zoals aluminium, zelfs tot verspreiding en verpakkingstemperaturen. De stikstof en het fosfor verhinderen ook tekorten zich te vormen bij de grens tussen de weerstandslaag en de metaalleider. Dit leidt tot betere controle over shorting en beter weerstandsvermogen in de weerstand.