A method of forming a semiconductor memory device on a silicon substrate includes implanting doping impurities of a first type in the silicon substrate to form a conductive channel of a first type for use as a gate junction region, forming a MOS capacitor on the conductive channel of the first type, depositing an FEM capacitor over less than the entire area of the MOS capacitor, thereby forming a stacked gate unit, implanting doping impurities of a second type in the silicon substrate on either side of the gate junction region to form a conductive channel of a second type for use as a source junction region and a drain junction region, and depositing an insulating structure about the FEM gate unit. A ferroelectric memory (FEM) cell constructed according to the invention includes a silicon substrate, a gate region located in said substrate, a source junction region and a drain junction region located on either side of the gate region, a MOS capacitor, a FEM capacitor, wherein the FEM capacitor is stacked on and overlays only a portion of the MOS capacitor, thereby forming, with the MOS capacitor, a stacked gate unit.

Μια μέθοδος μια συσκευή μνήμης ημιαγωγών σε ένα υπόστρωμα πυριτίου περιλαμβάνει την εμφύτευση ναρκώνοντας τις ακαθαρσίες ενός πρώτου τύπου στο υπόστρωμα πυριτίου για να διαμορφώσει ένα αγώγιμο κανάλι ενός πρώτου τύπου για τη χρήση ως περιοχή συνδέσεων πυλών, που διαμορφώνει έναν πυκνωτή MOS στο αγώγιμο κανάλι του πρώτου τύπου, καταθέτοντας έναν πυκνωτή FEM πέρα από λιγότερο από την ολόκληρη περιοχή του πυκνωτή MOS, με αυτόν τον τρόπο διαμορφώνοντας μια συσσωρευμένη μονάδα πυλών, εμφυτεύοντας ναρκώνοντας τις ακαθαρσίες ενός δεύτερου τύπου στο υπόστρωμα πυριτίου από κάθε πλευρά της περιοχής συνδέσεων πυλών για να διαμορφώσει ένα αγώγιμο κανάλι ενός δεύτερου τύπου για τη χρήση ως περιοχή συνδέσεων πηγής και περιοχή συνδέσεων αγωγών, και καταθέτοντας μια μόνωση ντηνγ δοπηνγ ημπuρητηες οφ α φηρστ τυπε ην τχε σηληθον σuψστρατε το φορμ α θονδuθτηβε θχαννελ οφ α φηρστ τυπε φορ uσε ας α γατε ιuνθτηον ρεγηον, φορμηνγ α ΜΟΣ θαπαθητορ ον τχε θονδuθτηβε θχαννελ οφ τχε φηρστ τυπε, δεποσητηνγ αν ΦΕΜ θαπαθητορ οβερ λεσς τχαν τχε εντηρε αρεα οφ τχε ΜΟΣ θαπαθητορ, τχερεψυ φορμηνγ α σταθκεδ γατε uνητ, ημπλαντηνγ δοπηνγ ημπuρητηες οφ α σεθονδ τυπε ην τχε σηληθον σuψστρατε ον εητχερ σηδε οφ τχε γατε ιuνθτηον ρεγηον το φορμ α θονδuθτηβε θχαννελ οφ α σεθονδ τυπε φορ uσε ας α σοuρθε ιuνθτηον ρεγηον ανδ α δραην ιuνθτηον ρεγηον, ανδ δεποσητηνγ αν ηνσuλατηνγ στρuθτuρε αψοuτ τχε ΦΕΜ μονάδα πυλών. Ένα σιδηροηλεκτρικό κύτταρο μνήμης (FEM) που κατασκευάζεται σύμφωνα με την εφεύρεση περιλαμβάνει ένα υπόστρωμα πυριτίου, μια περιοχή πυλών τοποθετημένα στο εν λόγω υπόστρωμα, μια περιοχή συνδέσεων πηγής και μια περιοχή συνδέσεων αγωγών που βρίσκονται από κάθε πλευρά της περιοχής πυλών, ένας πυκνωτής MOS, ένας πυκνωτής FEM, όπου ο πυκνωτής FEM συσσωρεύεται επάνω και επιστρώνει μόνο μια μερίδα του πυκνωτή MOS, με αυτόν τον τρόπο διαμορφώνοντας, με τον πυκνωτή MOS, μια συσσωρευμένη μονάδα πυλών.