A method of performing a two stage anneal in the formation of an alloy interconnect can include forming a via aperture in a dielectric layer where the via aperture provides an area for formation of a via, providing a seed layer along lateral side walls of the via aperture, rapid thermal annealing the seed layer to facilitate copper grain growth in the via, and slowly annealing the seed layer to facilitate desired distribution of alloy doping. The use of two anneals-one fast (e.g., 60 seconds) at lower temperatures (e.g., 150.degree. C. to 250.degree. C.) and one slow (e.g., minutes to several hours) at higher temperatures (e.g., 200.degree. C. to 450.degree. C.)--helps to control grain growth and alloy doping distribution.

Μια μέθοδος έναν δύο επιπέδων ανοπτεί στο σχηματισμό ενός κράματος διασυνδέει μπορεί να περιλάβει τη διαμόρφωση του α μέσω του ανοίγματος σε ένα διηλεκτρικό στρώμα όπου μέσω του ανοίγματος παρέχει μια περιοχή για το σχηματισμό του α μέσω, παρέχοντας ένα στρώμα σπόρου κατά μήκος των πλευρικών πλευρικών τοίχων μέσω του ανοίγματος, γρήγορος θερμικός ανοπτώντας το στρώμα σπόρου για να διευκολύνει την αύξηση σιταριού χαλκού μέσω, και ανοπτώντας αργά το στρώμα σπόρου για να διευκολύνει την επιθυμητή διανομή της νάρκωσης κραμάτων. Η χρήση δύο ανοπτώ-ένα γρήγορα (π.χ., 60 δευτερόλεπτα) στις χαμηλότερες θερμοκρασίες (π.χ., 150.degree. Γ. σε 250.degree. γ.) και ένα αργό (π.χ., πρακτικά σε αρκετές ώρες) στις υψηλότερες θερμοκρασίες (π.χ., 200.degree. Γ. σε 450.degree. C.) -- βοήθειες για να ελέγξει την αύξηση και το κράμα σιταριού που ναρκώνουν τη διανομή.