A method is disclosed for measuring the dose and energy level of ion implants forming a shallow junction in a semiconductor sample. In the method, two independent measurements of the sample are made. The first measurement monitors the response of the sample to periodic excitation. In the illustrated embodiment, the modulated optical reflectivity of a reflected probe beam is monitored to provide information related to the generation of thermal and/or plasma waves in the sample. A second spectroscopic measurement is also performed. This measurement could be either a spectroscopic reflectometry measurement or a spectroscopic ellipsometry measurement. The data from the two measurements are combined in a manner to yield information about both the dose (concentration) of the dopants as well as the energy used to inject the dopants in the semiconductor lattice. The method will useful in controlling the formation of shallow junctions.

Un metodo è rilevato per la misurazione della dose ed il livello di energia dello ione impianta formare una giunzione poco profonda in un campione a semiconduttore. Nel metodo, due misure indipendenti del campione sono effettuate. La prima misura controlla la risposta del campione all'eccitazione periodica. Nell'incorporamento illustrato, la riflettività ottica modulata di un fascio riflesso della sonda è controllata per fornire le informazioni relative alla generazione del thermal e/o il plasma fluttua nel campione. Una seconda misura spettroscopica inoltre è realizzata. Questa misura ha potuto essere una misura spettroscopica di reflectometry o una misura ellipsometry spettroscopica. I dati dalle due misure sono uniti in un modo per rendere alle informazioni su entrambi la dose (concentrazione) dei dopant così come l'energia usata per iniettare i dopant nel semiconduttore ingraticciano. La volontà di metodo utile nel controllo della formazione delle giunzioni poco profonde.