A field emission type cold cathode device comprises a substrate, and a metal plating layer formed on the substrate, the metal plating layer contains at least one carbon structure selected from a group of fullerenes and carbon nanotubes, the carbon structure is stuck out from the metal plating layer and a part of the carbon structure is buried in the metal plating layer.

Un type dispositif froid d'émission de champ de cathode comporte un substrat, et une couche de métallisation formée sur le substrat, la couche de métallisation contient au moins une structure de carbone choisie parmi un groupe de fullerenes et de nanotubes de carbone, la structure de carbone est coincée dehors de la couche de métallisation et une partie de la structure de carbone est enterrée dans la couche de métallisation.