A distributed feedback laser device includes a semiconductor base having a ridge waveguide structure projecting from its principal plane. The ridge waveguide structure extends with a predetermined width from one edge of the semiconductor base to an opposite edge. A diffraction grating layer is confined within the ridge structure. The ridge waveguide structure is formed by etching using an SiO.sub.2 film and a resist film as masks so that the diffraction grating layer is produced with substantially the same width as, or a less width than, the width of the ridge waveguide structure. A .lambda./4 shift diffraction grating or a chirped diffraction grating is preferably employed.

Un dispositivo del laser di risposte distribuite include una base a semiconduttore che ha una struttura della guida di onde della cresta proiettarsi dal relativo aereo principale. La struttura della guida di onde della cresta si estende con una larghezza predeterminata da un bordo della base a semiconduttore fino un bordo opposto. Uno strato del reticolo di diffrazione è limitato all'interno della struttura della cresta. La struttura della guida di onde della cresta è costituita dall'incidere usando una pellicola SiO.sub.2 e una pellicola di resistenza come le mascherine in moda da produrre sostanzialmente lo strato del reticolo di diffrazione con la stessa larghezza come, o meno larghezza che, la larghezza della struttura della guida di onde della cresta. Un reticolo di diffrazione dello spostamento del lambda./4 o un reticolo di diffrazione striduto è impiegato preferibilmente.