Disclosed are a gain coupled distributed feedback type semiconductor laser device which has a high single-mode yield and a smaller variation in the oscillation threshold current and luminous efficiency, and a method of manufacturing the same. The semiconductor laser device has a gain or loss which periodically changes, and comprises a cavity; and a diffraction grating formed in the cavity in such a way that an absolute value of a gain coupling coefficient in a vicinity of at least one of facets of the cavity is smaller than an absolute value of a gain coupling coefficient in the other area.

São divulgados um tipo distribuído acoplado ganho dispositivo do gabarito do laser do semicondutor que tenha um rendimento single-mode elevado e uma variação menor na eficiência atual e luminous do ponto inicial da oscilação, e um método de manufaturar o mesmo. O dispositivo do laser do semicondutor tem um ganho ou uma perda que periòdicamente as mudanças, e compreendam uma cavidade; e um grating de diffraction deu forma na cavidade de tal maneira que um valor absoluto de um coeficiente do acoplamento do ganho em uma vizinhança ao menos de um dos facets da cavidade é menor do que um valor absoluto de um coeficiente do acoplamento do ganho na outra área.