A semiconductor laser 101 comprises a sapphire substrate 1, an AlN buffer
layer 2, Si-doped GaN n-layer 3, Si-doped Al.sub.0.1 Ga.sub.0.9 N
n-cladding layer 4, Si-doped GaN n-guide layer 5, an active layer 6 having
multiple quantum well (MQW) structure in which about 35 .ANG. in thickness
of GaN barrier layer 62 and about 35 .ANG. in thickness of Ga.sub.0.95
In.sub.0.05 N well layer 61 are laminated alternately, Mg-doped GaN
p-guide layer 7, Mg-doped Al.sub.0.1 Ga.sub.0.9 N p-cladding layer 8, and
Mg-doped GaN p-contact layer 9 are formed successively thereon. A ridged
hole injection part B which contacts to a ridged resonator part A is
formed to have the same width as the width w of an Ni electrode 10. Holes
transmitted from the Ni electrode 10 are injected to the active layer 6
with high current density, and electric current threshold for laser
oscillation can be decreased. Electric current threshold can be improved
more effectively by forming also the p-guide layer 7 to have the same
width as the width w of the Ni electrode 10.
Ένα λέιζερ 101 ημιαγωγών περιλαμβάνει ένα υπόστρωμα 1, ένα στρώμα 2, Si-narkwme'no GaN ν-στρώμα 3, Si-narkwme'no στρώμα 4, Si-narkwme'no στρώμα 5 σαπφείρου απομονωτών AlN ν-επένδυσης Al.sub.0.1 Ga.sub.0.9 ν ν-οδηγών GaN, ένα ενεργό στρώμα 6 που έχει το πολλαπλάσιο κβάντο καλά (MQW) κτίζει ποια περίπου 35. ANG στο πάχος του στρώματος εμποδίων GaN 62 σε στρώματα και περίπου 35. ANG στο πάχος Ga.sub.0.95 In.sub.0.05 ν καλά το στρώμα 61 είναι τοποθετημένο διαδοχικά, MG-NARKWME'NO στρώμα 7, MG-NARKWME'NO στρώμα 8 π-οδηγών GaN π-επένδυσης Al.sub.0.1 Ga.sub.0.9 ν, και MG-NARKWME'NO στρώμα 9 π-επαφών GaN διαμορφώνεται διαδοχικά επ'αυτού. Ένα ridged μέρος β εγχύσεων τρυπών που οι επαφές σε ένα ridged μέρος Α αντηχείων διαμορφώνονται για να έχουν το ίδιο πλάτος με το πλάτος W ενός ηλεκτροδίου 10. Νι τρύπες που διαβιβάζονται από το ηλεκτρόδιο 10 Νι εγχέεται στο ενεργό στρώμα 6 με την υψηλή πυκνότητα ρεύματος, και η ηλεκτρική τρέχουσα μεγάλη μονάδα για την ταλάντωση λέιζερ μπορεί να μειωθεί. Το ηλεκτρικό τρέχον κατώτατο όριο μπορεί να βελτιωθεί αποτελεσματικότερα με να διαμορφώσει επίσης το στρώμα 7 π-οδηγών για να έχει το ίδιο πλάτος με το πλάτος W του ηλεκτροδίου 10 Νι.
