The magnetoresistance effect element is of a multilayered structure having at least magnetic layers and an intermediate layer of an insulating material, a semiconductor or an antiferromagnetic material against the magnetic layers, and the magnetoresistance effect element has terminals formed at least on the opposite magnetic layers, respectively, so that a all the magnetic layers constituting the magnetoresistance effect element are opposed substantially at right angles to the recording surface of a magnetic recording medium. Therefore, the area of the magnetic layers facing the recording surface of the magnetic recording medium can be extremely reduced, and thus the magnetic field from a very narrow region of the high-density recorded magnetic recording medium can be detected by the current which has a tunneling characteristic and passes through the intermediate layer.

Das Magnetwiderstand Effektelement ist von einer vielschichtigen Struktur, die mindestens magnetische Schichten und eine Zwischenschicht eines isolierenden Materials, des Halbleiters oder des antiferromagnetic Materials gegen die magnetischen Schichten hat, und das Magnetwiderstand Effektelement hat die Anschlüß, die mindestens auf den gegenüberliegenden magnetischen Schichten beziehungsweise gebildet werden damit alle magnetische Schichten, die das Magnetwiderstand Effektelement festsetzen, im wesentlichen senkrecht zur Aufzeichnungsoberfläche eines magnetischen Aufnahmemittels entgegengesetzt werden. Folglich kann der Bereich der magnetischen Schichten, welche die Aufzeichnungsoberfläche des magnetischen Aufnahmemittels gegenüberstellen, extrem verringert werden, und folglich fangen die magnetischen von einer sehr schmalen Region des mit hoher Dichte notierten magnetischen Aufnahmemittels können durch den Strom ermittelt werden auf, der eine Einen Tunnel anlegen Eigenschaft hat und durch die Zwischenschicht überschreitet.